天津大学2020年微电子学院硕士研究生入学自命题科目调整通知

来源: 学府考研
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2019-09-12

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摘要：2020年全国硕士研究生入学考试命题标准大纲已于7月8日正式公布，接下来全国各研招院校将陆续发布2020考研专业课大纲。

　　以下是学府考研老师整理的“天津大学2020年微电子学院硕士研究生入学自命题科目调整通知”相关内容，以供各位考生参考。

　　考天津大学2020年硕士研究生考生：

　　2019年硕士研究生招生业已结束，2020年硕士研究生入学考试即将于2019年10月份开始网上报名。我院2020年硕士研究生招生考试部分自命题科目及初试大纲调整，现予以说明：

　　序号原考试科目及代码变更说明初试大纲

　　1813半导体物理或电介质物理合并为813半导体物理与器件修改，见附件

　　2808电磁场与电磁波取消科目，报考相应专业可选用815信号与系统

　　其他科目暂不修订，科目设置及初试大纲请参考《天津大学2019年硕士学位研究生招生专业目录》及《天津大学公布2019年硕士研究生初试考试自命题科目大纲》。若有变动，以本年度9月份公布的《天津大学2020年硕士学位研究生招生专业目录》及《天津大学公布2020年硕士研究生初试考试自命题科目大纲》为准。请及时关注天津大学研究生招生信息网(yzb.tju.edu.cn)最新信息。

　　学院咨询电话：27405716

　　附1：813半导体物理与器件大纲

　　813-半导体物理与器件

　　一、考试的总体要求

　　本课程为本专业主干专业基础课，要求考生掌握半导体物理的基本概念、p-n结、MOS结构、双极晶体管、MOS晶体管等基本原理和应用。

　　二、考试的内容及比例

　　(一)考试内容要点：

　　第一部分：(50%)

　　1、半导体能带结构、半导体有效质量、空穴、杂质能级;

　　2、热平衡状态下半导体载流子的统计分布，本征半导体和杂质半导体的载流子浓度，简并半导体和重掺杂效应;

　　3、半导体的导电性：载流子的漂移运动、迁移率、散射、强电场效应、热载流子的概念,半导体电阻率与温度、杂质浓度的关系，体内负微分电导;

　　4、非平衡载流子：非平衡载流子的产生、复合、寿命、扩散长度、准费米能级，爱因斯坦关系，一维稳定扩散，光激发载流子衰减;

　　5、p-n结、MOS结构：平衡与非平衡p-n结特点及其能带图，pn结理想和非理想I-V特性，p-n结电容概念与击穿机制，p-n结隧道效应、肖特基势垒二极管;

　　6、MOS结构表面电场效应，理想与实际MOS结构C-V特性，MOS系统的性质(固定电荷、可动离子、界面态对C-V特性的影响)，表面电场对p-n结特性的影响;

　　第二部分：(50%)

　　7、双极晶体管的基本结构、原理，少数子分布，低频电流增益和非理想效应;

　　8、双极晶体管的等效电路模型、频率特性和开关特性;

　　9、MOSFET的基本结构、原理，阈值电压，电流电压关系，击穿特性

　　10、MOSFET的小信号模型和频率特性;

　　11、MOSFET的非理想特性：亚阈值特性、沟道长度调制效应、短沟道效应和;

　　12、结型场效应晶体管的结构和基本工作原理;

　　13、光器件与功率器件的原理、特点与应用。

　　(二)比例：

　　两部分考试内容各占50%。

　　三、试卷题型及比例

　　1、概念与问答题：40%;

　　2、论述题：30%;

　　3、计算与推导题：20%;

　　4、实验与综合题：10%。

　　四、考试形式及时间

　　考试形式均为笔试。考试时间为3小时(满分150)。

　　五、参考书目

　　半导体物理学，(第七版)，刘恩科、朱秉升、罗晋生编著，电子工业出版社。

　　半导体物理与器件，(第四版)，赵毅强、姚素英等译，电子工业出版社。

　　晶体管原理与设计，陈星弼张庆中等，电子工业出版社。

　　天津大学微电子学院

　　2019年6月20日

　　附件：20190620微电子学院2020年招生自命题调整说明

　　天津大学微电子学院2020年硕士研究生招生自命题调整说明

　　报考天津大学2020年硕士研究生考生：

序号	考试科目及代码	变更说明	初试大纲
1	813半导体物理或电介质物理	合并为813半导体物理与器件	修改，见附件
2	808电磁场与电磁波	取消科目，报考相应专业可选用815信号与系统
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